每天全球生成的數(shù)據(jù)量以驚人的速度增長，企業(yè)和云服務供應商借助海量數(shù)據(jù)，制定重要決策，從數(shù)據(jù)中獲得新的洞察，并提供出色的差異化服務。但是，當今的存儲技術在數(shù)據(jù)存儲層方面存在巨大的差距。擴展 DRAM 過于昂貴，NAND 具備擴展的容量和成本結(jié)構(gòu)，但是它的性能無法支持在內(nèi)存空間中運行。為了解決這個問題，我們需要一種與系統(tǒng)內(nèi)存功能相似的存儲解決方案。 關于英特爾® 傲騰™ 固態(tài)盤 DC P4800X 系列英特爾® 傲騰™ 固態(tài)盤 DC P4800X 是首款結(jié)合內(nèi)存和存儲屬性的產(chǎn)品。這款創(chuàng)新型解決方案提供了行業(yè)領先的高吞吐率、低延遲、高服務質(zhì)量和超高的耐用性，新增的數(shù)據(jù)存儲層專為打破數(shù)據(jù)訪問瓶頸而優(yōu)化。DC P4800X 可對應用進行加速，支持快速緩存和快速存儲，提高每臺服務器的可擴展性，并降低延遲敏感型工作負載的交易成本。此外，DC P4800X 支持數(shù)據(jù)中心部署更大、更經(jīng)濟的數(shù)據(jù)集，在大型內(nèi)存池中獲得新的洞察。高吞吐量助力實現(xiàn)突破性性能借助 DC P4800X 實現(xiàn)突破性應用性能。它可在低隊列深度工作負載下提供快 5-8 倍的性能，2 在單次訪問和超低延遲下表現(xiàn)出極高的吞吐量。為了展示最大吞吐率，通常在隊列深度為 32（SATA） 或 128（NVMe*）時測量基于 NAND 的固態(tài)盤性能。隊列深度為 111 時，DC P4800X 便達到了最高 500,000 IOPS 或約 2GB/秒的性能。這項新技術能幫助企業(yè)實現(xiàn)全新的突破性性能表現(xiàn)。低延遲：負載下的響應速度憑借英特爾® 傲騰™ 技術所創(chuàng)建的新數(shù)據(jù)存儲層，數(shù)據(jù)中心可以在任何工作負載下始終如一地實現(xiàn)出色的響應時間。借助基于 NAND 的固態(tài)盤，隨機寫入操作需要大量的后臺媒體管理。這些任務可能會給讀取操作帶來顯著延遲。無論應用于固態(tài)盤的寫入吞吐量如何，英特爾® 傲騰™ 固態(tài)盤 DC P4800X 均可保持一致的讀取響應時間。讀取響應時間保持在 30 微秒以內(nèi)，同時承受最高 2GB/ 秒的隨機寫入壓力。可預測的快速服務：服務質(zhì)量在數(shù)據(jù)激增和要求嚴苛的環(huán)境中，數(shù)據(jù)中心部署的解決方案必須支持可預測的快速服務。DC P4800X 適用于延遲要求苛刻的關鍵應用。在隨機寫入工作負載中，DC P4800X 的 99% 讀取響應時間占高耐用性 NAND 固態(tài)盤響應時間的 1/60。4 經(jīng)過優(yōu)化后，DC P4800X 最大限度地縮短了數(shù)據(jù)訪問的延遲，確保更快地形成決策洞察。超高耐用性耐用性影響企業(yè)固態(tài)盤的預期壽命和成本。DC P4800X 專為高寫入環(huán)境而設計，能承受內(nèi)存所需的密集型寫入流量。憑借極高的耐用性，DC P4800X 的使用壽命得到延長，因而適用于在線交易處理、高性能計算、寫入緩存和日志記錄等寫入密集型應用。當今數(shù)據(jù)中心的用例數(shù)據(jù)中心可探究 DC P4800X 的兩個關鍵用例：快速存儲或緩存或擴展內(nèi)存。快速存儲或高速緩存通過分層優(yōu)化內(nèi)存和存儲層級。DC P4800X 提供全新的存儲層級，打破了傳統(tǒng) NAND 存儲的瓶頸，提高了應用的運行速度和每臺服務器的工作效率。擴展內(nèi)存用例支持英特爾® 傲騰™ 固態(tài)盤與 DRAM 在操作系統(tǒng)或應用級共享同一個內(nèi)存池，以更低的成本提供更大的內(nèi)存容量。較大的內(nèi)存可大幅增加 “工作集” 的大小，在科學計算、醫(yī)療和自主駕駛等快速發(fā)展的領域中收集數(shù)據(jù)并獲取新洞察。更經(jīng)濟的內(nèi)存意味著數(shù)據(jù)中心可以使用英特爾® 傲騰™ 固態(tài)盤來替代一些DRAM。
文章摘自存儲先鋒
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